O seleneto de chumbo (PbSe) e o telureto de chumbo (PbTe) são materiais semicondutores cujas propriedades eletrônicas permitem aplicações em dispositivos eletrônicos e termoelétricos. Superfícies desses materiais pertencem a uma nova classe de materiais chamada isolantes topológicos, onde o bulk é isolante e a superfície é condutora. Defeitos como vacâncias e antissítios são comuns nesses materiais, e entender qual a influência desses defeitos nas propriedades estruturais e eletrônicas é fundamental para a aplicação dos mesmo. Nesse trabalho utilizamos o formalismo da Teoria do Funcional da Densidade para analisar as propriedades estruturais e eletrônicas de defeitos em superfícies de PbSe e PbTe. Nossos resultados mostram que as vacâncias são mais prováveis que os antissítios, pois apresentam energias de formação menores. Analisamos a energia de formação para diferentes tamanhos de células unitárias, o que mostrou uma dependência da energia de formação com o tamanho das células.