O seleneto de chumbo(PbSe) trata-se de um material semicondutor com propriedades eletrônicas que o tornam interessante para aplicações em dispositivos eletrônicos e dispositivos termoelétricos. Além disso, a superfície de seleneto de chumbo faz parte de uma classe de materiais denominada isolantes topológicos, que tem como principal característica o fato do bulk ser isolante e a superfície condutora. Este fato faz com que materiais desta classe tenham aplicações em spintrônica. Em nosso trabalho anterior foram estudadas as propriedades estruturais de malhas de seleneto de chumbo na presença de defeitos intrínsecos, ou seja, vacâncias e antissitios. Este trabalho dá continuidade ao trabalho anterior, pois neste trabalho foi estudado a influência que tais defeitos causam nas propriedades eletrônicas do material. Para estudar tais defeitos e suas influência utilizou-se simulações computacionais, mais especificamente foi utilizado o código computacional VASP que utiliza-se do formalismo da teoria do funcional de densidade. O código computacional foi usado no ambiente computacional CENAPAD no qual o mesmo já encontrava-se implementado. Nossos resultados mostram que os defeitos estudados modificam as propriedades eletrônicas da monocamada de Seleneto de Chumbo, tal fato sugere uma mudança nas propriedades termoelétricas deste material, e tais mudanças podem ocasionar também alterações em suas características de material isolante topológico.