A busca por nova fontes de energia tem levado ao estudo de materiais termoelétricos. Um dos candidatos a serem materiais termoelétricos eficientes são os nanofios semicondutores. O SnTe é um dos materiais mais estudados para a aplicação em dispositivos termoelétricos, e estudos recentes mostram que o confinamento quântico e a dopagem deste material podem aumentar a sua eficiência termoelétrica. Neste trabalho estudamos a dopagem do bulk e do nanofio do SnTe com os elementos do Grupo IIIA (In, Al, Ga e Tl). Os Cálculos computacionais foram realizados com a Teoria do Funcional de Densidade (DFT), conforme implementado no código VASP. Nossos resultados para as propriedades eletrônicas do SnTe indicam um acréscimo na eficiência termoelétrica com o confinamento quântico, devido a um aumento na densidade de estados próximo ao topo da banda de valência e ao fundo da banda de condução. Entre as impurezas estudadas, Ga e Tl substitucionais ao Sn introduzem níveis de impureza próximo ao topo da banda de valência, tornando-os bons candidatos para aumentar a eficiência termoelétrica de nanofios de SnTe.