Óxido de Grafeno (GO) e Óxidos Metálicos Semicondutores (MOS) vem sido extensivamente estudados. O objetivo desse trabalho é incorporar diferentes MOS ao GO, de modo a aproveitar diferentes características de ambos materiais. A síntese do GO é realizada junto com cada um dos MOS utilizados. A caracterização morfológica e estrutural dos materiais é realizada, e suas diferenças são apontadas.