Com o crescente avanço da área de eletrônica orgânica, além de aplicações na fabricação de dispositivos eletrônicos, há uma nova vertente, os biossensores. Este trabalho tem por objetivo fabricar e investigar as propriedades elétricas de um transistor orgânico de efeito de campo com porta eletrolítica (electrolyte-gated organic field-effect transistor - EGOFET). Os terminais dreno e fonte do transistor consistem de um filme fino interdigitado de ouro, fabricado utilizando a técnica de fotolitografia e evaporação térmica. A camada semicondutora, consiste de um polímero semicondutor poly(3-hexylthiophene) (P3HT), depositado via técnica de spin-coating. A camada dielétrica é composta por uma solução aquosa e um fio condutor de Ag/AgCl como eletrodo de porta do dispositivo. A tensão de chaveamento do transistor (V_G) foi de aproximadamente -0,5V, voltagem bem abaixo daquelas observadas em dispositivos utilizando dielétricos sólidos. Uma razão ON/OFF de 20 vezes foi obtida, aplicando-se V_D= -0,5V. A corrente de condução do canal para V_G=-0.5V e V_D=-0,5V foi de 15µA. A transcondutividade (gm) do transistor foi de 17 µS. Neste trabalho, mostramos um transistor orgânico de efeito de campo, fabricado e caracterizado em nosso laboratório, com desempenho igual ou superior aos valores encontrados na literatura, visando posteriormente à aplicação em biossensores.