Tamanho da fonte: 

Neste trabalho utilizamos a técnica de fotoluminescência para estudar a emissão de radiação de um poço quântico de GaAs com barreiras de AlGaAs crescido através da técnica de Epitaxia por Feixe Molecular (Molecular Beam Epitaxy – MBE). Através da análise dos espectros de fotoluminescência buscamos identificar os canais de recombinação presentes nesta nanoestrutura. A emissão foi estudada em função da temperatura da amostra, em um intervalo de 8K a 300K. Com os dados obtidos pudemos identificar quatro canais de recombinação eletrônica. O canal de recombinação mais intenso foi observado até temperaturas próximas a temperatura ambiente, assim, nesta primeira etapa concentramos nossos esforços em entender a origem deste mecanismo de emissão e analisar a concordância entre nossos resultados e o ajuste fornecido por modelos teóricos existentes que descrevem a variação da energia da emissão de radiação em função da temperatura. Os modelos utilizados nos ajustes foram os modelos de Varshini, Viña e Passler. Com os dados obtidos através destes modelos verificamos um bom acordo de nossos resultados quando comparados com resultados da literatura.

Poço Quântico. Fotoluminescência. Espectroscopia.