Portal de Eventos Científicos da UTFPR (EVIN), XXV Seminário de Iniciação Científica e Tecnológica da UTFPR

Tamanho da fonte: 
Caracterização experimental e modelagem teórica das propriedades ópticas de nanoestruturas semicondutoras
João Vitor de Souza Paz, Leonardo Dias de Souza, Jesus Maria Herazo Warnes

Última alteração: 2020-11-21

Resumo


No presente trabalho utilizamos parâmetros conhecidos de um poço quântico de GaAs com barreiras de AlGaAs para simular os níveis de energia, funções de onda e densidade de probabilidade, através de uma solução numérica da Equação de Schrödinger independente do tempo para um poço finito. A partir dos resultados da simulação foi possível calcular a energia de transição elétron-buraco entre o nível fundamental e os primeiros níveis excitados do poço. Com os resultados da interação elétron-buraco para os diferentes níveis energéticos do poço, foi possível confrontá-los com um espectro de fotoluminescência da amostra obtido à 8K e potência de 6 μW, com o objetivo de identificar se o pico principal do espectro tem origem na transição do nível fundamental, primeiro nível excitado ou segundo nível excitado do poço.

Palavras-chave


Poço Quântico. Fotoluminescência. Modelagem.

Texto completo: PDF