Com o crescente avanço da área de eletrônica orgânica, além de aplicações na fabricação de dispositivos eletrônicos, há uma nova vertente para a área, relacionada aos biossensores. Os materiais eletrônicos orgânicos possuem a capacidade de biocompatibilidade, propriedade esta fundamental para a transdução de sinais elétricos e iônicos. Este trabalho tem por objetivo fabricar e investigar as propriedades elétricas de um transistor orgânico de efeito de campo com porta eletrolítica (electrolyte-gated organic field-effect transistor - EGOFET). Propõe-se fabricar dispositivos com terminais dreno e fonte do transistor composto de um filme fino interdigitado de ouro. A camada semicondutora, será formada por um polímero semicondutor, variando entre P3HT e PCDTBT. A camada dielétrica será composta por uma solução aquosa e como eletrodo de porta será adotado um fio condutor de Ag/AgCl. Entre as propriedades que serão avaliadas estão a tensão de chaveamento do transistor (VG), tensão de dreno (VD), a corrente de condução do canal, entre outras. Com este trabalho, se propõe mostrar um transistor orgânico de efeito de campo, dotado de boa performance, com os qual pretende-se gerar a competência necessária para a fabricação de outros dispositivos para aplicação em biossensores.