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Esse manuscrito apresenta uma análise comparativa de métodos de extração de um parâmetro elétrico importante de Transistores de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFETs), o qual indica transição de estado, desligado para ligado, do dispositivo, conhecido como tensão de limiar. Para isso, três técnicas difundidas na literatura são utilizadas, a saber, corrente constante, extrapolação linear e segunda derivada, por meio de inspeção da curva transferência do transistor, ou seja, corrente dreno em função da tensão aplicada ao terminal de porta. O objeto de estudo deste trabalho é MOSFET de porta tripla do tipo enriquecimento de canal p (p-finFET) de canal de germânio. Neste contexto, dispositivos de diferentes comprimentos de canal e largura de aleta larga fixa são avaliados, a fim de verificar o efeito de canal curto na tensão de limiar, bem como da resistência série com a redução do comprimento de canal. Por fim, é mostrado que os métodos da extrapolação linear e da segunda derivada são mais confiáveis, devido à proximidade entre seus resultados.

Nanoeletrônica; Circuitos integrados; Semicondutores