Este trabalho tem como objetivo geral avaliar a influência da redução do comprimento de canal em finFETs de canal de germânio de canal tipo p, em seus parâmetros elétricos básicos, tais como, transcondutância, tensão de limiar e inclinação de sublimiar. Esta análise é realizada extraindo-se estes parâmetros dos transistores de diferentes dimensões geométricas, a partir de resultados prévios de medições de características corrente-tensão para cada dispositivo estudado. Desta forma, constata-se que o efeito de canal curto predomina em dispositivos cujo comprimento de canal é inferior a 300 nm, degradando tanto a tensão de limiar quanto a transcondutância em cerca de 100 %, em relação aos dispositivos de comprimento de canal mais longo.