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Este trabalho apresenta um estudo comparativo de características estática e dinâmica deinversores lógicos CMOS e nMOS, através de simulações computacionais dos circuitos.Neste contexto, é avaliado a influência de dois parâmetros no desempenho dos inversores:capacitância de carga e frequência do sinal de entrada. Desta forma, constata-se que nocaso do inversor lógico nMOS, sua aplicação é limitada a frequências de trabalho de atédezenas de kHz, pelo fato do circuito auxiliar para chaveamento dos MOSFETs ter tempo deatraso cerca de três ordens de magnitude maior do que os tempos de transição de estadodos nMOSFETs.

Circuitos Integrados. Microeletrônica. Transistores.