OBJETIVO: A determinação da mobilidade de carga de filmes de semicondutores orgânicos é de extrema importância para o desenvolvimento de dispositivos mais eficientes que utilizam essa classe de material. Nesse projeto simulamos a formação do perfil de carga na interface metal/semicondutor orgânico, e estudamos como esse perfil de carga se move no interior de um filme ultrafino. Para isso, aplicamos um potencial elétrico na amostra do tipo pulsos retangulares (TOF “time-of-flight”). MÉTODOS: As simulações foram feitas com três abordagens diferentes: utilizando um software de simulação baseado em solução numérica por elementos finitos, modelagem analítica e numérica. RESULTADOS: Com as simulações, conseguimos simular um perfil de carga na interface metal/semicondutor e acompanhamos a evolução temporal desse perfil de carga, mediante a aplicação de um pulso externo de tensão. Simulamos o transporte de cargas com e sem a influência de recombinação e também de difusão. Calculamos também o transiente de corrente gerado por essa densidade de corrente. O próximo passo é a utilização da simulação para ajustar dados experimentais. CONCLUSÕES: O transporte de carga em semicondutores orgânico difere bastante dos inorgânicos, por se tratar de uma classe de material morfologicamente desordenado. A desordem estrutural e energética é determinante para as propriedades ópticas e eletrônicas desses materiais. Por isso o estudo do transporte de carga é fundamental. Nesse trabalho, simulamos o movimento de cargas no interior de filmes finos de semicondutores orgânicos. Nosso próximo passo é utilizar as simulações para ajustar curvas experimentais e obter informações quantitativas de mobilidade de carga, tempo de vida, coeficiente de difusão, entre outros, para cada filme fino.